MOS管与三极管

三极管和 MOSFET 对比

三极管

三极管简称晶体管，分为 NPN 型和 PNP 型两种，是最重要的一种半导体器件。它用于放大作用和开关作用。

Mosfet

就是场效应管，是一种较新型的半导体器件。外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性却截然不同。

Mos 相对三极管的优势

原理对比

MOSFET

概述

分类 --> 原理（N 沟道增强型） --> 电气特性

分类

按沟道：

• N 沟道
• P 沟道

按栅极电压：

• 耗尽型：当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。
• 增强型：有电压才导通
  • 对于N沟道器件，栅极电压大于零(<0)时才存在导电沟道。
  • 对于P沟道器件，栅极电压小于零(>0)时才存在导电沟道。

功率 MOSFET 主要是：N 沟道增强型。

几种分类及其图标

工作原理

图中各部分从上往下依次是：

• 栅极(Gate)
• 漏极(Drain)
• 源极(Source)
• 橘黄色：金属
• 黄色：氧化物
• 浅红色：P 掺杂
• 深红色：耗尽区(depletion region)

一下过程模拟栅极(Gate)加压

1. 当栅极(Gate)未施加电压时(=0)，漏极(Drain)和源极(Source)是断开的，如1.jpg。
2. 当栅极(Gate)施加电压且大于0(>0)时，漏极(Drain)和源极(Source)是断开的，但是栅极金属层将聚集正电荷，如2.jpg。
3. 当栅极(Gate)施加电压且大于V_TH(>V_TH)时，漏极(Drain)和源极(Source)之间形成反型层(inversion layer)，反型层相当于N掺杂的半导体，因此漏极(Drain)和源极(Source)直接连通，因此MOSFET导电沟道形成，进入导通状态。如3.jpg。
   
   

输出特性

1. 夹断区(cutoff mode)
2. 线性区(linear mode)
3. 饱和区(saturation mode)

具体情况如下

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